Память SDR SDRAM

Конструктивно этот вид памяти представляет собой модуль DIMM (Dual In-line Memory Module) со 168 контактами, на котором располагаются до 32 чипсетов.

«SDR SDRAM» («Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory» — «Синхронная динамическая память со случайным доступом и одинарной скоростью передачи данных») имеет спецификации:

PC66, PC100, PC133,

предназначенные, соответственно, для работы на частотах:

66, 100, 133 MHz.

• На модуле памяти «SDR SDRAM» спецификации PC100 должна быть специальная наклейка с маркировкой вида:

  « PCxxx-abc-def », где

• xxx ? частота внешней шины (100 MHz, в данном случае).

• а ? обозначает CL (CAS Latency), рекомендованное для этого модуля. CAS Latency является важнейшей характеристикой чипа и обозначает минимальное количество циклов тактового сигнала (Clock Period) от момента запроса данных сигналом CAS до их появления и устойчивого считывания с выводов модуля. Значения CL может быть «2» или «3» . Чем меньше число, тем чип быстрее и стоит дороже.

• b ? tRCD (RAS-to-CAS Delay). Это необходимая минимальная задержка между сигналами RAS и CAS (в циклах тактового сигнала). Как правило, это число «3» .

  Параметры а и b определяются архитектурой самого чипа памяти и приводятся для определенной частоты. 100 MГц, напрмер.

• с ? tRP ? (RAS Precharge Time) ? минимальное время регенерации в циклах тактовой частоты. Характеризует паузу между командами и обычно это число «3» .

• d ? tAC ? (Acсess from Clock) ? максимальное время доступа (появления устойчивых данных) в наносекундах (нс) без десятичной части. Например, tAC = 6,63 нс ? dd = 6.

• e ? SPD Rev спецификация команд SPD (иногда может отсутствовать).

• f ? запасной параметр, содержащий информацию об используемой ревизии стандарта Registered. После него может стоять индекс "R", указывающий на Registered природу модуля (максимальная отказоустойчивость), если индекса нет и f ? 0, значит модуль ? Unbuffered.